[发明专利]形成用于半导体器件的栅极结构的方法和半导体器件

摘要

本发明提供一种方法，其用于为半导体器件制造栅极结构，该半导体器件中的栅极结构具有内隔离器。置换栅极工艺被使用，其中材料从栅极区域被除去以便暴露部分衬底；栅极介电体形成于所述衬底的暴露部分；内隔离器层形成于栅极介电体和栅极介电材料上。然后形成硅层，其在内隔离器层上。该结构然后被平面化以便部分衬底层和内隔离器层保留在该栅极区域。然后由硅形成硅化物栅极结构；硅化物栅极结构和围绕该栅极的介电材料由内隔离器层分开。半导体器件可包括第一栅极区域和第二栅极区域，其间有界面，且内隔离器层掩盖该界面。当器件具有两个栅极区域时，工艺可用在两个栅极区域，以便产生分开的硅化物结构，且内隔离器将这两个结构分开。

主权项

1.一种用于为半导体器件制造栅极结构的方法，所述栅极结构形成于衬底上，且所述栅极结构邻近具有顶表面的介电材料，该方法包括以下步骤：除去所述器件中栅极区域内的材料以暴露部分衬底；形成栅极介电体于暴露的衬底部分；形成内隔离器层于所述栅极介电体和所述介电材料上；形成硅层于所述内隔离器层上；除去第一部分硅层和第一部分内隔离器层，以便所述介电材料的顶表面被暴露，且第二部分硅层和第二部分内隔离器保留在所述栅极区域并具有和所述顶表面共面的表面；以及由第二部分硅层形成硅化物栅极结构，所述硅化物栅极结构和所述介电材料由所述第二部分内隔离器层分开。