[发明专利]有源矩阵显示器无效
| 申请号： | 200510004153.4 | 申请日： | 1993-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN1637565A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;张宏勇 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;H01L29/786;G09F9/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种高产率制造高性能的可靠的半导体器件的低温方法，包括：以TEOS作为原材料，在氧、臭氧或氧化氮气氛中，在设于绝缘衬底上的半导体涂层上，通过化学汽相淀积形成氧化硅薄膜作为栅绝缘膜；并用脉冲激光束或强光辐照，以除去诸如碳或烃基团，从而消除氧化硅薄膜中的捕获中心。另一种方法包括将氮离子注入氧化硅薄膜中然后用红外光使薄膜退火，从而获得作为栅绝缘膜的氮氧化硅膜，此膜结构致密、介电常数高和耐压得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 矩阵 显示器 | ||
【主权项】：
1.一种显示器件，它包括：一个由源区和漏区组成的薄膜晶体管，其中所述源区和漏区中各个都包括硅；一个电连接于所述源区和漏区中的一个的多层膜，其中，所述多层膜包括一铬层和一铝层；一个像素电极，经所述多层膜电连接于所述源区和漏区中的所述一个。
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