[发明专利]接触结构制造方法有效
| 申请号： | 200510004166.1 | 申请日： | 2005-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN1655334A | 公开（公告）日： | 2005-08-17 |
| 发明（设计）人： | C·阿赫伦斯;J·胡伯;U·塞德 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明是一种接触结构制造方法。本发明提供了一种用于在一结构表面(100a)上制造一接触结构(116)之方法，其包含了于该结构表面(100a)上制造一第一传导层(112)，而该第一传导层(112)包含钨。一传导种子层(114)乃形成于该第一传导层(112)上；该接触结构(116)乃藉由电镀方式而形成于该种子层(114)上。该第一传导层(112)乃作为自背侧选择性移除基板材料时的一终止层。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于在一基板(100)的一结构表面(100a)上制造一接触结构(116)的方法，该方法包含：于该结构表面(100a)上制造一第一传导层(112)，该第一传导层(112)包含钨；于该第一传导层(112)上制造一传导种子层(114)；以及在该种子层(114)上电镀该接触结构(116)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
