[发明专利]低k和超低k SiCOH介质膜及其制作方法有效
| 申请号： | 200510004304.6 | 申请日： | 2005-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN1645608A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·M.·盖茨;克里斯托斯·D.·迪米特拉克浦斯;阿尔弗雷德·格里尔;桑·范·恩古叶恩 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/312;H01L21/31;C23C16/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请公开了一种低k和超低k SiCOH介质膜及其制作方法，其中提供了包括元素Si、C、O、H的介质材料，它具有机械性质(张应力、弹性模量、硬度、粘合强度、以及水中的破裂速度)的具体数值，这些机械性质导致稳定的超低k膜，此膜不由于水蒸气或集成工艺而退化。这些介质材料的介电常数约为2.8或以下，张应力小于45MPa，弹性模量约为2－15GPa，且硬度约为0.2－2GPa。还提供了包含本发明的介质材料的一些电子结构以及制造介质材料的各种方法。 | ||
| 搜索关键词： | sicoh 介质 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种包含元素Si、C、O、H的介质材料，其介电常数约为2.8或以下，张应力小于45MPa，弹性模量约为2-15GPa，且硬度约为0.2-2GPa。
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