[发明专利]有机聚合物存储元件无效
| 申请号： | 200510004329.6 | 申请日： | 2005-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN1670863A | 公开（公告）日： | 2005-09-21 |
| 发明（设计）人： | W·B·杰克逊;S·莫勒 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;H01L51/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘元金;马崇德 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了对于重复READ(读出)存取操作稳定的有机聚合物系存储元件(1202、1204、1206、1208、1210)的实施方案。有机聚合物系存储元件会蒙受重复READ存取操作时由于电子向有机聚合物层中的导入而发生的积累性降解。一般而言，电子向该有机聚合物层中的进入通常使得在对该存储元件施加电压之后该有机聚合物层内空穴流的启动滞后。因此，导入电子阻断层(1208)和/或限制READ存取操作期间施加电压的持续时间(1002，1003)，就能制造稳定的存储元件。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 聚合物 存储 元件 | ||
【主权项】：
1.一种有机聚合物存储元件(1202、1204、1206、1208、1210)，包含：一个第一电极(1202)；一个第二电极(1210)；和该第一电极与该第二电极之间的一个导电性有机聚合物层(102、1104、1206、1302)，其电导率在所施加电压势下导入电子之后可检测地降低，该存储元件可通过施加一个WRITE阈限使该有机聚合物层进入第一电导率状态来重复写入并可通过施加一个READ阈限使该有机聚合物层进入第二电导率状态来重复读出。
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