[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510004566.2 | 申请日： | 2005-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN1734769A | 公开（公告）日： | 2006-02-15 |
| 发明（设计）人： | 菅谷慎二;桥本浩一;鹰尾义弘 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L21/8242;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺;张浴月 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体衬底(10)，沟槽(16a)和沟槽(16b)形成于该衬底中；掩埋在沟槽(16a)中的器件隔离膜(32a)，其包括衬膜，该衬膜包括氮化硅膜(20)和二氧化硅基绝缘材料的绝缘膜(28)；掩埋在沟槽(16b)的底部中的器件隔离膜(32b)；以及电容器，其形成于该第二沟槽(16b)的上部的侧壁上，并且该电容器包括作为第一电极的杂质扩散区域(40)、二氧化硅基绝缘膜的电容器介电膜(43)、和第二电极(46)。本发明允许使用具有这种结构的逻辑LSI，该结构能控制将要由沟槽隔离施加的机械应力和将要被混合的存储器元件，而不会降低存储器元件的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于包括：半导体衬底，具有形成于其中的第一沟槽和第二沟槽；第一器件隔离膜，包括：衬膜，其沿着该第一沟槽的内表面形成，且包括氮化硅膜；以及二氧化硅基绝缘材料的绝缘膜，其掩埋在形成有该衬膜的该第一沟槽中；第二器件隔离膜，掩埋在该第二沟槽的底部；以及电容器，形成于该第二沟槽的侧壁的上部上，该电容器包括：作为第一电极的杂质扩散区域，其形成于该半导体衬底中；二氧化硅基绝缘材料的电容器介电膜，其形成于该第二沟槽的侧壁上；以及第二电极，其形成于该电容器介电膜上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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