[发明专利]半导体装置

摘要

一种半导体装置。具有梯状的第一基极电极及长方形状的第一发射极电极和平板状的第二基极电极、第二发射极电极的半导体装置，可确保接合面积，即使对于第一发射极电极，也是引线结合位置有效的配置，但第二发射极电极中心附近的基极区域到第二基极电极的距离长，而具有载流子的引出迟缓的问题。本发明的半导体装置在芯片的一条边上导出基极及发射极端子，平板状地设置第二发射极电极，相对于配置外部端子的芯片边垂直地延伸第一发射极电极，在第二发射极电极的中央附近设置第二基极电极的突出部。由此，可使第二发射极电极的中央附近的元件的基极区域接近第二基极电极，可降低发射极电阻，提高基极区域的载流子的引出速度。

主权项

1、一种半导体装置，其特征在于，包括：一导电型半导体衬底，其构成集电极区域；逆导电型基极区域，其被设置在所述衬底上；一导电型发射极区域，其被格子状地设置在所述基极区域表面上；第一基极电极，其和所述基极区域接触；第一发射极电极，其和所述发射极区域接触；一个第二基极电极，其介由绝缘膜被设置在所述第一基极电极及所述第一发射极电极上，并和所述第一基极电极连接；一个第二发射极电极，其介由所述绝缘膜被设置在所述第一基极电极及所述第一发射极电极上，并和所述第一发射极电极连接，所述第二发射极电极下方的第一基极电极及第一发射极电极被并行地配置多个，该多个第一基极电极在端部聚束，连接到所述第二基极电极上，所述第二基极电极具有分离所述第二发射极电极的一部分并和所述并行的第一基极电极及第一发射极电极正交而延伸的突出部。