[发明专利]电致发光元件像素矩阵有效
| 申请号： | 200510004626.0 | 申请日： | 2005-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN1627873A | 公开（公告）日： | 2005-06-15 |
| 发明（设计）人： | 黄维邦;施立伟 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H05B33/12 | 分类号： | H05B33/12;H05B33/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种电致发光像素矩阵，其位于一薄膜晶体管背板上，具有改善的布局。通过排列电致发光像素矩阵中电致发光聚集区域以及薄膜晶体管电路聚集区域的位置，使得薄膜晶体管电路为一聚集的区域，因此，在激光退火工序中，每一激光脉冲都可照射到大量的薄膜晶体管电路的非晶硅层，以提高激光退火工序的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 电致发光 元件 像素 矩阵 | ||
【主权项】：
1.一种电致发光元件像素矩阵，包括：一基板；至少一电致发光元件像素聚集区域，其形成于所述基板上；以及至少一薄膜晶体管电路聚集区域，其形成于所述基板上；其中，每一电致发光元件像素对应并连接至所述薄膜晶体管电路聚集区域中的至少二个薄膜晶体管。
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