[发明专利]半导体装置

摘要

本发明涉及静电放电保护晶体管，在由P型半导体基板(1)构成，周围被元件分离区(2)包围的活性区，设置晶体管(21、22、23)。在由P型半导体基板(1)构成的活性区上，设置源极上硅化物膜(5_S)、漏极上硅化物膜(5_D)。在这里，漏极上硅化物膜(5_D)不在位于晶体管(21、22、23)的各边界的部分设置，而被各晶体管(21、22、23)分离。这样，由于晶体管(21、22、23)各自之间的区域成为高电阻，所以能够防止流进不同的晶体管的电流局部集中，从而能够不增加晶体管的面积，最大限度地发挥单位面积的静电放电保护能力。从而在静电放电保护晶体管中，不带来面积的增大，提高静电特性。

主权项

1、一种半导体装置，其特征在于，包括：具有活性区的半导体基板；在所述半导体基板中包围所述活性区的侧方的区域设置的元件分离区；在所述活性区上设置的栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上设置的栅电极；在所述活性区中位于所述栅电极的侧方的下部的区域设置的源极区及漏极区；在所述源极区上设置的源极上硅化物膜；在所述漏极区上设置的漏极上硅化物膜；介有所述源极上硅化物膜地设置在所述源极区上，向栅极宽方向并列的多个源极触点；以及介有所述漏极上硅化物膜地设置在所述漏极区上，向栅极宽方向并列的多个漏极触点，所述漏极上硅化物膜，在位于所述多个漏极触点中的每一个之间的区域中至少一处被分离设置。