[发明专利]场效应晶体管及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200510004706.6 申请日: 2005-01-18
公开(公告)号: CN1674239A 公开(公告)日: 2005-09-28
发明(设计)人: 约臣·C.·贝恩特纳 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: H01L21/335 分类号: H01L21/335;H01L29/772;H01L29/78
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 付建军
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 在FinFET集成电路中,翅片在本体具有减小的本体厚度,然后在本体外侧的S/D区域加厚,从而改善传导率。加厚过程是利用外延沉积完成的,同时栅极下部由栅极覆盖层覆盖,避免栅极在翅片高度下加厚,这可以相对于S/D缩短栅极。
搜索关键词: 场效应 晶体管 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种制造FinFET的方法,包含步骤:在硅衬底上形成至少一个翅片,该翅片具有翅片高度和翅片厚度;形成栅极,该栅极具有大于所述翅片高度的栅极高度,且在本体区域与所述翅片相交;在所述栅极和翅片上形成共形层;定向蚀刻所述共形层,直到去除了所述翅片的源极/漏极区域中的所述共形层,从而在所述栅极上形成栅极盖,直到所述翅片的高度;以及增加所述翅片厚度,同时所述栅极与所述组翅片通过所述栅极盖隔离。
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