[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 200510004764.9 | 申请日: | 1999-11-25 |
公开(公告)号: | CN1652348A | 公开(公告)日: | 2005-08-10 |
发明(设计)人: | 山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L27/00;H05B33/12 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张志醒 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 为了实现更高可靠性TFT和高可靠性半导体器件,本发明的NTFT在半导体层中具有沟道形成区、n型第一、第二和第三杂质区。第二杂质区是与栅极的锥部交叠的低浓度杂质区且栅绝缘膜置于第二杂质区与栅极之间,并且第二杂质区的杂质浓度从沟道形成区向第一杂质区逐渐增高。而且,第三杂质区是不与栅极交叠的低浓度杂质区。另外,相同衬底上的多个NTFTs应该分别具有不同的第二杂质区长度,这取决于工作电压的差别。即,当第二TFT的工作电压高于第一TFT的工作电压时,在第二TFT上的第二杂质区的长度比在第一TFT上的长。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:形成在具有绝缘表面的衬底上的半导体层,该半导体层包含至少一个沟道形成区、源区和漏区、以及处于源区或漏区与沟道形成区之间的至少一个杂质区;和形成在所述半导体层上的栅极,其中在所述栅极和所述半导体层之间配置了栅绝缘膜;其中只有所述杂质区的一部分与所述栅极的一部分重叠,和其中所述栅极的重叠部分的厚度比所述栅极的处在所述沟道形成区上的部分的厚度薄。
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