[发明专利]发光二极管及其制造方法无效
申请号: | 200510004766.8 | 申请日: | 2005-01-21 |
公开(公告)号: | CN1694269A | 公开(公告)日: | 2005-11-09 |
发明(设计)人: | 江忠永 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 臧霁晨 |
地址: | 310018浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及一种发光二极管及其制造方法,尤其是涉及采用倒装结构的发光二极管及其制造方法。本发明的发光二极管,包括:衬底(5);形成在所述衬底(5)上的III族氮化物外延层(4);形成在所述III族氮化物外延层(4)上并且相互电气绝缘的一对电极(1,2);以面与面的接触方式形成在所述一对电极(1,2)上且形状分别与所述一对电极(1,2)相对应的第1导电导热金属层(6,7);以及,以面与面的接触方式形成在所述第1导电导热金属层(6,7)上的硅片(3)。利用上述结构能够提供一种散热性良好、且发光效率高发光二极管。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管,其特征在于,包括:衬底(5);形成在所述衬底(5)上的III族氮化物外延层(4);形成在所述III族氮化物外延层(4)上并且相互电气绝缘的一对电极(1,2);以面与面的接触方式形成在所述一对电极(1,2)上,且形状分别与所述一对电极(1,2)相对应的第1导电导热金属层(6,7);以面与面的接触方式与所述第1导电导热金属层(6,7)相接触的硅片(3)。
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