[发明专利]光照射热处理方法及光照射热处理装置有效
| 申请号： | 200510004769.1 | 申请日： | 2005-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN1645575A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | 金崎惠美;柴田聪;川濑文俊 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/265 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明使光照射开始后的温度上升工序(开路控制工序)中的光照射强度具有分布，通过减轻被加热体的温度偏差可降低被加热体所受应力。本发明是一种光照射热处理方法，在容器内支持被加热体，通过上述被加热体的一个表面相对设置的平面状的光照射加热部件来热处理被加热体，其包括：从光照射加热部件向被加热体照射平面上具有强度分布的光，使被加热体的温度上升的工序。光照射开始后的开路控制工序中，通过对多个区域逐一设定光照射强度，可降低被加热体的温度偏差。从而，可以减轻应力，无变形、歪斜、弯曲、龟裂等并抑制埋入被加热体的半导体装置的特性变动，降低可靠性不良。 | ||
| 搜索关键词： | 照射 热处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种光照射热处理方法，在容器内支持被加热体，通过上述被加热体的一个表面相对设置的平面状的光照射加热部件来热处理上述被加热体，其包括：从上述光照射加热部件向上述被加热体照射平面上具有强度分布的光，使上述被加热体的温度上升的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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