[发明专利]用于光刻工艺窗口最优化的方法和系统有效
| 申请号： | 200510004811.X | 申请日： | 2005-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN1655062A | 公开（公告）日： | 2005-08-17 |
| 发明（设计）人： | 邢福仑;M·A·拉文;李金福;D·L·奥斯塔普科;A·E·罗森布卢特;成乐根 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于关于光刻工艺窗口的布图最优化的新型方法和系统，其促进光刻约束不被局部化，以便于提供通过工艺窗口印刷给定电路的能力，该工艺窗口超过使用常规的简化设计规则获得的工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 光刻 工艺 窗口 优化 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种用于晶片上的集成电路布图以及制造集成电路布图的可叠加掩膜和掩膜级的光刻工艺窗口最优化的方法，其中用来自方向范围的光辐射束照亮所述掩膜和掩膜级，所述方法包括：确定印刷电路特征边缘位置的预备组；确定在所述电路特征边缘的可允许位置上的连接约束组；将信赖区域的中心初始设置在所述电路特征边缘的预备位置处；计算在所述信赖区域内投影的图像强度的模型；调节在所述掩膜上提供的形状和所述光束的强度，所述光束照亮所述掩膜以将所述晶片上满足所述连接约束组的图像投影在基于计算模型的尽可能宽的曝光范围上。
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