[发明专利]一种FinFET电路与纳机电梁集成的芯片及其制作方法有效
申请号: | 200510005031.7 | 申请日: | 2005-01-31 |
公开(公告)号: | CN1815735A | 公开(公告)日: | 2006-08-09 |
发明(设计)人: | 韩翔;吴文刚;郝一龙;王阳元 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/78;H01L21/822;H01L21/336;B82B1/00;B82B3/00 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐宁;关畅 |
地址: | 100871北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种FinFET电路与纳机电梁集成的芯片及其制作方法,本发明产品包括一芯片本体,其特征在于:芯片本体上包括机电区和电路区,机电区包括设置在芯片本体上的固定端,单端或双端固定的纳机电梁和机电区电极;电路区包括以FinFET为单元构建的电路系统,FinFET单元中包括源、漏、Fin和栅,栅跨越Fin,电路区和机电区之间通过金属引线连接,金属引线在机电区,连接固定端或机电区电极,金属引线在电路区,连接电路系统中FinFET单元的栅或源或漏,电路区和机电区的外接端口分别连通外接布线。本发明不仅对制作出更高性能NEMS潜力很大,而且大大提高了系统的集成度和生产效率,降低了工业化生产成本,它在各种传感、射频、检测环境微小变化等领域有重要应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 finfet 电路 机电 集成 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1、一种FinFET电路与纳机电梁集成的芯片,它包括一芯片本体,其特征在于:所述芯片本体上包括机电区和电路区,所述机电区包括设置在所述芯片本体上的固定端,单端或双端固定的纳机电梁和机电区电极;所述电路区包括以FinFET为单元构建的电路系统,所述FinFET单元中包括源、漏、Fin和栅,所述栅跨越所述Fin,所述电路区和机电区之间通过金属引线连接,所述金属引线在所述机电区,连接所述固定端或所述机电区电极,所述金属引线在所述电路区,连接所述电路系统中FinFET单元的栅或源或漏,所述电路区和机电区的外接端口分别连通外接布线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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