[发明专利]一种FinFET电路与纳机电梁集成的芯片及其制作方法有效

专利信息
申请号: 200510005031.7 申请日: 2005-01-31
公开(公告)号: CN1815735A 公开(公告)日: 2006-08-09
发明(设计)人: 韩翔;吴文刚;郝一龙;王阳元 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L29/78;H01L21/822;H01L21/336;B82B1/00;B82B3/00
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 徐宁;关畅
地址: 100871北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种FinFET电路与纳机电梁集成的芯片及其制作方法,本发明产品包括一芯片本体,其特征在于:芯片本体上包括机电区和电路区,机电区包括设置在芯片本体上的固定端,单端或双端固定的纳机电梁和机电区电极;电路区包括以FinFET为单元构建的电路系统,FinFET单元中包括源、漏、Fin和栅,栅跨越Fin,电路区和机电区之间通过金属引线连接,金属引线在机电区,连接固定端或机电区电极,金属引线在电路区,连接电路系统中FinFET单元的栅或源或漏,电路区和机电区的外接端口分别连通外接布线。本发明不仅对制作出更高性能NEMS潜力很大,而且大大提高了系统的集成度和生产效率,降低了工业化生产成本,它在各种传感、射频、检测环境微小变化等领域有重要应用。
搜索关键词: 一种 finfet 电路 机电 集成 芯片 及其 制作方法
【主权项】:
1、一种FinFET电路与纳机电梁集成的芯片,它包括一芯片本体,其特征在于:所述芯片本体上包括机电区和电路区,所述机电区包括设置在所述芯片本体上的固定端,单端或双端固定的纳机电梁和机电区电极;所述电路区包括以FinFET为单元构建的电路系统,所述FinFET单元中包括源、漏、Fin和栅,所述栅跨越所述Fin,所述电路区和机电区之间通过金属引线连接,所述金属引线在所述机电区,连接所述固定端或所述机电区电极,所述金属引线在所述电路区,连接所述电路系统中FinFET单元的栅或源或漏,所述电路区和机电区的外接端口分别连通外接布线。
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