[发明专利]一种FinFET电路与纳机电梁集成的芯片及其制作方法

摘要

本发明涉及一种FinFET电路与纳机电梁集成的芯片及其制作方法，本发明产品包括一芯片本体，其特征在于：芯片本体上包括机电区和电路区，机电区包括设置在芯片本体上的固定端，单端或双端固定的纳机电梁和机电区电极；电路区包括以FinFET为单元构建的电路系统，FinFET单元中包括源、漏、Fin和栅，栅跨越Fin，电路区和机电区之间通过金属引线连接，金属引线在机电区，连接固定端或机电区电极，金属引线在电路区，连接电路系统中FinFET单元的栅或源或漏，电路区和机电区的外接端口分别连通外接布线。本发明不仅对制作出更高性能NEMS潜力很大，而且大大提高了系统的集成度和生产效率，降低了工业化生产成本，它在各种传感、射频、检测环境微小变化等领域有重要应用。

主权项

1、一种FinFET电路与纳机电梁集成的芯片，它包括一芯片本体，其特征在于：所述芯片本体上包括机电区和电路区，所述机电区包括设置在所述芯片本体上的固定端，单端或双端固定的纳机电梁和机电区电极；所述电路区包括以FinFET为单元构建的电路系统，所述FinFET单元中包括源、漏、Fin和栅，所述栅跨越所述Fin，所述电路区和机电区之间通过金属引线连接，所述金属引线在所述机电区，连接所述固定端或所述机电区电极，所述金属引线在所述电路区，连接所述电路系统中FinFET单元的栅或源或漏，所述电路区和机电区的外接端口分别连通外接布线。