[发明专利]结构检查、图形形成、工艺条件确定及半导体器件制造方法无效

专利信息
申请号: 200510005081.5 申请日: 2005-01-31
公开(公告)号: CN1649086A 公开(公告)日: 2005-08-03
发明(设计)人: 早崎圭;三上彻;伊藤信一;山崎裕一郎;小谷敏也 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/66;H01L21/027;G03F7/00;G01B11/00
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 陈海红;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明据以下所确定的各物质的构成比确定被评价物的结构:测定设于预定环境中被评价物的反射光强度的波长色散;准备构成上述被评价物及上述波长色散测定的上述环境各物质的复折射率;设定假定构成上述被评价物的物质与构成上述环境的物质的混合率的多个设想构成比;相对于各设想构成比,通过应用上述各物质的复折射率的多重干涉计算从而算出设想反射率波长色散;从上述多个设想反射率波长色散中,提取多个与上述反射率波长色散测定值误差小的类似反射率波长色散计算值;将提取的类似反射率波长色散的计算中所用的设想构成比按上述误差越小权重越大进行加权平均以确定上述各物质的构成比。
搜索关键词: 结构 检查 图形 形成 工艺 条件 确定 半导体器件 制造 方法
【主权项】:
1.一种结构检查方法,其特征在于,其根据下述步骤求出的各物质的构成比求上述被评价物的结构:测定设于预定环境中被评价物的反射光强度的波长色散的步骤;准备构成上述被评价物及上述波长色散测定的上述环境的各物质的复折射率的步骤;设定假定了预定空间内的构成上述被评价物的物质与构成上述环境的物质的混合率的多个设想构成比的步骤;相对于各设想构成比,通过应用上述各物质的复折射率的多重干涉计算算出设想反射率波长色散的,从上述多个设想反射率波长色散之中,提取多个与上述反射率波长色散测定值误差小的类似反射率波长色散计算值的步骤;在提取出的类似反射率波长色散的计算中所用的设想构成比按照上述误差越小权重越大进行加权平均,以求出上述各物质的构成比的步骤。
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