[发明专利]结构检查、图形形成、工艺条件确定及半导体器件制造方法无效
申请号: | 200510005081.5 | 申请日: | 2005-01-31 |
公开(公告)号: | CN1649086A | 公开(公告)日: | 2005-08-03 |
发明(设计)人: | 早崎圭;三上彻;伊藤信一;山崎裕一郎;小谷敏也 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/66;H01L21/027;G03F7/00;G01B11/00 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 陈海红;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明据以下所确定的各物质的构成比确定被评价物的结构:测定设于预定环境中被评价物的反射光强度的波长色散;准备构成上述被评价物及上述波长色散测定的上述环境各物质的复折射率;设定假定构成上述被评价物的物质与构成上述环境的物质的混合率的多个设想构成比;相对于各设想构成比,通过应用上述各物质的复折射率的多重干涉计算从而算出设想反射率波长色散;从上述多个设想反射率波长色散中,提取多个与上述反射率波长色散测定值误差小的类似反射率波长色散计算值;将提取的类似反射率波长色散的计算中所用的设想构成比按上述误差越小权重越大进行加权平均以确定上述各物质的构成比。 | ||
搜索关键词: | 结构 检查 图形 形成 工艺 条件 确定 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种结构检查方法,其特征在于,其根据下述步骤求出的各物质的构成比求上述被评价物的结构:测定设于预定环境中被评价物的反射光强度的波长色散的步骤;准备构成上述被评价物及上述波长色散测定的上述环境的各物质的复折射率的步骤;设定假定了预定空间内的构成上述被评价物的物质与构成上述环境的物质的混合率的多个设想构成比的步骤;相对于各设想构成比,通过应用上述各物质的复折射率的多重干涉计算算出设想反射率波长色散的,从上述多个设想反射率波长色散之中,提取多个与上述反射率波长色散测定值误差小的类似反射率波长色散计算值的步骤;在提取出的类似反射率波长色散的计算中所用的设想构成比按照上述误差越小权重越大进行加权平均,以求出上述各物质的构成比的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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