[发明专利]扁平电缆用导体及其制造方法以及扁平电缆有效
| 申请号： | 200510005121.6 | 申请日： | 2005-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN1649038A | 公开（公告）日： | 2005-08-03 |
| 发明（设计）人： | 堀越稔之;市川贵朗;远藤胜雄;伊藤真人;松尾英夫 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01B7/08 | 分类号： | H01B7/08;H01B1/02;C23C2/08 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供无需担心在导体周围的焊料镀膜表面发生晶须的扁平电缆用导体及其制造方法以及扁平电缆。本发明的扁平电缆用导体10是配置于扁平电缆内部的导体，在由Cu或Cu合金构成的导体11的周围设置由Sn－Cu合金镀层构成的第一镀膜12，在该第一镀膜12周围设置由选自Au、Ag、Ni、Ge、Zn或Bi的第三元素与Sn的合金构成的、且最表面的第三元素的浓度为0.01～80wt％的第二镀膜13。 | ||
| 搜索关键词： | 扁平 电缆 导体 及其 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.扁平电缆用导体，其为配置于扁平电缆内部的导体，其特征在于，在由Cu或Cu合金构成的导体周围设置由Sn和/或Sn-Cu合金镀层构成的第一镀膜，在该第一镀膜周围设置由选自Au、Ag、Ni、Ge、Zn或Bi的第三元素与Sn的合金构成的且最表面的第三元素的浓度为0.01～80wt％的第二镀膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立电线株式会社，未经日立电线株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510005121.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：在SOI上形成平面多栅极晶体管结构和其方法
- 下一篇：移动终端的滑动机构
