[发明专利]一种硅微电容传声器芯片及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200510005384.7 申请日: 2005-02-05
公开(公告)号: CN1816221A 公开(公告)日: 2006-08-09
发明(设计)人: 徐联;汪承灏;魏建辉;黄歆;李俊红;田静 申请(专利权)人: 中国科学院声学研究所
主分类号: H04R19/04 分类号: H04R19/04;H04R31/00
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 代理人: 高存秀
地址: 100080北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种硅微电容传声器芯片及制备方法。该传声器芯片包括硅基片及其上的穿孔背板、隔离层、振动膜和电极,隔离层位于穿孔背板和振动膜之间以便在它们之间形成空气隙,该空气隙具有无尖角的边界。在该制备方法中,在硅基片的上表面之上形成一第一牺牲层,该第一牺牲层具有无尖角的边界;在第一隔离层之上形成一第二牺牲层,该第一牺牲层的被腐蚀速度大于第二牺牲层的被腐蚀速度,从所述硅基片的下表面开始对所述硅基片进行体刻蚀,去除第一牺牲层和一部分第二牺牲层以形成空气隙。本发明用于硅微电容传声器中的芯片及其制备方法,减小了振动膜的应力,大大提高了振动膜的灵敏度,避免了时效破裂。
搜索关键词: 一种 电容 传声器 芯片 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种硅微电容传声器芯片,包括硅基片及其上的穿孔背板、隔离层、振动膜和电极,所述隔离层位于所述穿孔背板和所述振动膜之间,以便在所述穿孔背板和所述振动膜之间形成空气隙;其特征在于,所述空气隙具有无尖角的边界。
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