[发明专利]用于在SOI晶片中产生不同厚度的有源半导体层的方法

摘要

本发明涉及用于在一个SOI晶片(20)中产生不同厚度(d1，d2)的、垂直绝缘的有源半导体区(12，14)的方法，该晶片具有一个绝缘层(16)，在该绝缘层上在一个有源半导体材料层(21)中设置了具有一个第一厚度(d1)的第一有源半导体区(12)。该方法的特征在于：通过从一个沟结构(40)的晶种孔(64，66)出发的、外延的生长产生具有相对更小的厚度(d2)的第二有源半导体区(14)。通过氧化物层使第二半导体区(14)在横向及垂直方向上相对第一半导体区(12)完全地、介电地隔离。

主权项

1.用于在一个SOI晶片(20)中产生不同厚度(d1，d2)的、垂直绝缘的有源半导体层区(12，14)的方法，该晶片具有一个绝缘层(16)，在该绝缘层上在一个有源半导体材料层(21)中设置了具有一个第一厚度(d1)的第一有源半导体区(12)，其特征在于：通过以下步骤产生具有一个相对更小的厚度(d2)的第二有源半导体区(14)：用一个保护层(38)部分地或完全地覆盖该SOI晶片(20)；在被覆盖区域中产生一个沟结构(40)，该沟结构切穿该保护层(38)并延伸到该有源半导体材料层(21)的深度中；用一个第一氧化物层(42)覆盖该沟结构(40)；在该沟结构内部的边缘上在该第一氧化物层(42)上产生隔离区(50，52)：在这些隔离区(50，52)之间用一个第二氧化物层(56)填满该沟结构(40)；通过去除所述隔离区(50，52)及该第一氧化物层(42)的位于这些隔离区(50，52)与该沟结构(40)的底部之间的区域来产生晶种孔(64，66)，及将该第二氧化物层(56)的厚度减小到一个小于该沟结构(40)的深度的剩余厚度；通过从这些晶种孔(64，66)出发的、用于第二有源半导体区(14)的、半导体材料的选择性外延生长来填满该沟结构(40)；使形成的结构平面化及将其厚度减小到这样的程度，以使得这些第二有源半导体区(14)不超出该沟结构(40)的壁突出；重新打开这些晶种孔(64，66)及通过一个绝缘的中间层(76)封闭这些被打开的晶种孔(64，66)，由此使这些第二半导体区(14)在横向及垂直方向上相对所述第一半导体区(12)完全地、介电地隔离。