[发明专利]半导体器件的晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200510005584.2 | 申请日： | 2005-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN1725514A | 公开（公告）日： | 2006-01-25 |
| 发明（设计）人： | 李相敦 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件及其制造方法。依据本发明，所述半导体器件的晶体管包括：一叠层型栅极，其中一隧道氧化膜、一浮置栅、一介电膜和一控制栅依序堆叠于一半导体衬底上；一栅极氧化膜，其相对于所述隧道氧化膜而形成于所述浮置栅下方的半导体衬底上，其中所述栅极氧化膜沿着所述浮置栅的部分底部及侧面的边界来形成；以及浮置氮化物膜，其填埋在所述半导体衬底上所形成的栅极氧化膜与沿着所述浮置栅的部分底部及侧面的边界所形成的栅极氧化膜之间的间隙中，其中所述浮置氮化物膜用作热电荷的俘获中心并存储1位电荷。所述半导体器件的晶体管可用作2位或3位单元晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的晶体管，包括：一叠层型栅极，在所述叠层型栅极中，一隧道氧化膜、一浮置栅、一介电膜和一控制栅依序堆叠于一半导体衬底上；一栅极氧化膜，其相对于所述隧道氧化膜而形成于所述浮置栅下方的半导体衬底上，其中所述栅极氧化膜是沿着所述浮置栅的部分底部及侧面的边界而形成；以及浮置氮化物膜，其填埋在所述半导体衬底上所形成的栅极氧化膜与沿着所述浮置栅的部分底部及侧面的边界所形成的栅极氧化膜之间的间隙中，其中所述浮置氮化物膜用作热电荷的俘获中心并存储1位电荷。
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