[发明专利]半导体激光器装置及使用该半导体激光器装置的拾光设备有效
| 申请号： | 200510005656.3 | 申请日： | 2005-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN1645694A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | 高山徹 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;G11B7/125 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种具有用于注射载流子的条带结构的半导体激光器装置，包括：在基底上形成的第一导电型包覆层、有源层、和第二导电型包覆层。所述条带宽度沿谐振器方向变化，L1和Lt之间的差值在200微米以内，并且Rf＜Rr，其中L1为从前端面到所述条带宽度最小处之间的距离，L为所述半导体激光器装置的谐振器的长度，Rf为所述前端面的反射率，Rr为后端面的反射率，Lt为由式L×Loge(Rf)/Loge (Rf×Rr)所表示的距离。在大功率工作时抑制光发射效率的饱和，允许稳定的基本横模振荡。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 装置 使用 设备 | ||
【主权项】：
1、一种具有用于注入载流子的条带结构的半导体激光器装置，包括：第一导电型包覆层；有源层；以及第二导电型包覆层；其中在基底上形成所述第一导电型包覆层、所述有源层和第二导电型包覆层，并且所述条带宽度沿谐振器方向变化，L1和Lt之间的差值在200微米以内，并且Rf＜Rr，其中L1为从前端面到所述条带宽度最小处之间的距离，L为所述半导体激光器装置的谐振器的长度，Rf为所述前端面的反射率，Rr为后端面的反射率，并且Lt为由L×Loge(Rf)/Loge(Rf×Rr)所表示的距离。
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