[发明专利]化学气相成长装置及膜成长方法

摘要

一种化学气相成长装置及膜成长方法。提供可能防止微粒粘附于衬底，成长高质量薄膜的化学气相成长装置。其包括：真空处理室(4)，使复数枚衬底(3)的薄膜成长面朝下的基座(2)，配置在基座(2)上方的加热器(11)，将阻挡气体供给基座(2)的上表面的第1阻挡气体供给部分(9)，将阻挡气体供给加热器(11)的上表面的第2阻挡气体供给部分(10)，由第1阻挡气体供给部分(9)及第2阻挡气体供给部分(10)供给的阻挡气体各自独立控制其流量。通过适当地设定从第1阻挡气体供给部分(9)及第2阻挡气体供给部分(10)供给的阻挡气体的流量比，及阻挡气体的供给量和原料气体的供给量比，能够形成抑制了微粒粘附的膜。

主权项

1.一种化学气相成长装置，其特征为：包括：为在衬底上让膜成长的衬底处理室，配置在上述衬底处理室内，用以使上述膜的成长面朝下地设置复数个上述衬底的基座，配置在上述衬底处理室内的上述基座上方的，加热上述衬底的加热器，在上述衬底处理室的上部开口，将阻挡气体供给到上述基座的上表面的第1阻挡气体供给部分，在上述衬底处理室的上部开口，将上述阻挡气体供给到上述加热器的上表面的第2阻挡气体供给部分，将原料气体供给到上述基座下表面的原料气体导入部分，以及将上述阻挡气体及上述原料气体从上述衬底处理室排出的排气管，另外分别独立控制从上述第1阻挡气体供给部分供给的上述阻挡气体的流量和从上述第2阻挡气体供给部分供给的上述阻挡气体的流量。