[发明专利]偏光膜及提高偏光膜光学性质的方法无效
| 申请号： | 200510005981.X | 申请日： | 2005-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN1815280A | 公开（公告）日： | 2006-08-09 |
| 发明（设计）人： | 陈丽珠;郑尧中 | 申请（专利权）人： | 力特光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/30 | 分类号： | G02B5/30;G02F1/1335 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 文琦;陈肖梅 |
| 地址： | 台湾省桃园县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种偏光膜与提高偏光膜光学性质的方法。该偏光膜控制聚乙烯醇薄膜层中各立体异构物的比例，特别是增加对排型态的立体异构物比例，以增加所吸收的碘离子的量与高分子薄膜的染色效果，使得碘分子可以均匀地渗透在高分子薄膜中，进而改善偏光膜的光学性质。本发明的提高偏光膜光学性质的方法，是提供一高分子薄膜，接着以例如蒸馏水或去离子水浸润此高分子薄膜。再将高分子薄膜以碘离子染色并加入硼酸溶液，而在染色的亦同时包含对此高分子薄膜经一预定的延伸倍率延伸。最后，干燥此高分子薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 偏光 提高 光学 性质 方法 | ||
【主权项】：
1.一种偏光膜，其特征是，该偏光膜包含：经染色、浸泡硼酸溶液及预定倍数延伸且包含对排、同排与乱排异构物的聚乙烯醇聚合物薄膜，其中对排异构物于聚乙烯醇聚合物中的含量比例经该预定倍数延伸及浸泡硼酸溶液后增加，而同排异构物于聚乙烯醇聚合物中的含量比例则减少；及分别位于该聚乙烯醇聚合物薄膜的上表面及下表面的二保护层。
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