[发明专利]异质结双极晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200510005992.8 | 申请日： | 2005-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN1667804A | 公开（公告）日： | 2005-09-14 |
| 发明（设计）人： | 村山启一;太田顺道;田村彰良 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/205;H01L29/737 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明旨在提供一种在高功率输出的操作下具有提高的击穿电压的异质结双极晶体管，所述异质结双极晶体管包括：一个GaAs半导体衬底；一个n+型GaAs亚集电极层110；一个n型GaAs集电极层120；一个p型GaAs基区层130；一个发射极层140；一个n型GaAs发射极覆盖层150；以及一个n型InGaAs发射极接触层160。所述发射极层140具有一个多层结构，包括依次层叠的一个n型或非掺杂第一发射极层141和一个n型第二发射极层142。所述第一发射层141由包含Al的一种半导体材料制成，而所述第二发射层142由InxGa1－xP(0＜x＜1)制成。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 双极晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种异质结双极晶体管，包括：一个由GaAs制成的n型集电极层；一个由GaAs制成的且在所述集电极层之上形成的p型基区层；一个在所述基区层之上形成的n型或非掺杂第一发射极层；以及一个在所述第一发射极层之上形成的n型第二发射极层，其中所述第一发射极层由包含铝的一种半导体材料制成，并且所述第二发射层由InxGa1-xP(0＜x＜1)制成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
