[发明专利]芯片及使用该芯片的多芯片半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510006138.3 | 申请日： | 2005-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN1649148A | 公开（公告）日： | 2005-08-03 |
| 发明（设计）人： | 松井聪 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆弋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提出了用于多芯片半导体器件的芯片及其制造方法，该芯片具有仅仅通过从芯片的前表面的处理(光刻，刻蚀)在芯片的前表面和/或后表面上形成的用于对准的标记，而不增加任何专用的工艺步骤到用于对准的标记的形成工艺。在用于多芯片半导体器件的单个芯片中具有两个或更多导电穿通栓塞的多芯片半导体器件的芯片中，采用一个或多个导电穿通栓塞用于对准的标记，并且该芯片被配置为允许识别用于多芯片半导体器件的芯片的前表面和/或后表面上的用于对准的标记。然后，在导电穿通栓塞的前表面和/或后表面上设置绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 使用 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于构成具有多个层叠半导体芯片的多芯片半导体器件的芯片，其包括：衬底；以及由贯穿所述衬底的导电材料构成的多个导电穿通栓塞，其中所述的多个导电穿通栓塞包括第一导电穿通栓塞和与所述的第一导电穿通栓塞分开地设置的第二导电穿通栓塞，其中所述的第一导电穿通栓塞和所述的第二导电穿通栓塞被配置为在平面图中有可见的区别，以及其中所述第二导电穿通栓塞是用于对准的标记。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司，未经恩益禧电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510006138.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
