[发明专利]相变存储器件和写相变存储器件的方法无效
| 申请号： | 200510006246.0 | 申请日： | 2005-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN1664953A | 公开（公告）日： | 2005-09-07 |
| 发明（设计）人： | 崔炳吉;郭忠根;金杜应;赵柏衡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/00 | 分类号： | G11C7/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 郭定辉;黄小临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 相变单元存储器件包括数个相变存储单元、地址电路、写驱动器和写驱动器控制电路。相变存储单元的每一个都包括可在非晶态和晶态之间可编程的一块材料。地址电路选择至少一个存储单元，写驱动器生成将地址电路选择的存储单元编程(program)为非晶态的复位脉冲电流，以及将地址电路选择的存储单元编程为晶态的置位脉冲电流。写驱动器控制电路根据写驱动器和地址电路选择的存储单元之间的负载，改变复位脉冲电流和置位脉冲电流中的至少一个的脉冲宽度和脉冲计数中的至少一个。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种相变单元存储器件，包括：数个相变存储单元，每一个都包括可在非晶态和晶态之间可编程的一块材料；地址电路，用于选择至少一个存储单元；写驱动器，用于生成将地址电路选择的存储单元编程为非晶态的复位脉冲电流，以及将地址电路选择的存储单元编程为晶态的置位脉冲电流；以及与地址电路耦合的写驱动器控制电路，用于根据写驱动器和地址电路选择的存储单元之间的负载，改变复位脉冲电流和置位脉冲电流中的至少一个的脉冲宽度和脉冲计数中的至少一个。
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