[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200510006251.1 | 申请日： | 2005-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN1661809A | 公开（公告）日： | 2005-08-31 |
| 发明（设计）人： | 相马忠昭;夏目正 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其制造方法。目前肖特基势垒二极管的VF、IR特性存在对调关系，为了实线低VF化就不能避免漏电流的增大。虽然公知的有：通过加入P+区域扩展耗尽层并利用夹断作用抑制漏电流的结构，但现实中难于完全封闭耗尽层。本发明的半导体装置中，设置P+型区域使低VF的肖特基金属层接触P+型区域及其周围的耗尽区域，使低IR肖特基金属层接触耗尽区域之间的N型衬底表面。在正偏压时电流流过低VF金属层，在反偏压时，由耗尽区域使其变窄的电流经路仅为低IR金属层部分。由此，可实现低VF、低IR的肖特基势垒二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于，包括：一导电型半导体衬底；多个设置在该衬底上的逆导电型区域；施加反偏压时耗尽层自所述逆导电型区域起在所述半导体衬底上扩展形成的耗尽区域；覆盖相邻的所述耗尽区域间露出的所述衬底表面的第一金属层；至少覆盖所述逆导电型区域及所述耗尽区域表面的第二金属层。
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