[发明专利]制作半导体芯片主面和背面上包括电极的半导体器件方法有效

专利信息
申请号: 200510006371.1 申请日: 2005-01-28
公开(公告)号: CN1649097A 公开(公告)日: 2005-08-03
发明(设计)人: 平野尚彦;三浦昭二;新美彰浩 申请(专利权)人: 株式会社电装
主分类号: H01L21/28 分类号: H01L21/28;H01L21/50;H01L21/56;H01L23/12
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 傅康;梁永
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种制作半导体芯片(10)的方法,包括:制作半导体晶片(100),使得该半导体晶片(100)的主面和背面取向类似于将从该半导体晶片(100)中分割出的半导体芯片(10)的主面和背面的取向。在半导体晶片(100)的背面上形成电极(13)。在半导体晶片(100)的主面上形成另一电极(12),同时将晶片(100)的背面固定到支撑衬底(200)。切割半导体晶片(100),以形成半导体芯片(10)。
搜索关键词: 制作 半导体 芯片 主面 面上 包括 电极 半导体器件 方法
【主权项】:
1.一种制作半导体芯片(S1)的方法,该芯片具有分别形成在半导体芯片(10)的主面和背面上的电极,附着在主面和背面的金属体(20,30),以及封装半导体芯片(10)的树脂模型(80),该制作方法包括:就半导体晶片(100)的主面和背面而言,制作与半导体芯片(10)取向类似的半导体晶片(100);在半导体晶片(100)的背面上形成电极(13);在半导体晶片(100)的主面上形成电极(12),同时将晶片(100)的背面固定到支撑衬底(200);以及切割半导体晶片(100)以形成半导体芯片(10)。
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