[发明专利]制造场致发射器的方法无效
申请号: | 200510006406.1 | 申请日: | 2005-01-31 |
公开(公告)号: | CN1652284A | 公开(公告)日: | 2005-08-10 |
发明(设计)人: | 李常贤;李晶姬;朴相铉;郑太远;许廷娜;金元锡 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01J9/02 | 分类号: | H01J9/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 李晓舒;魏晓刚 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供了一种制造场致发射器的方法。首先,在基板上形成图案化的导电层。接着,用场致发射材料和金属粉末的混合物涂覆导电层的上表面,并热处理该混合物从而改善该混合物对导电层的附着力。然后,除去沉积在除导电层以外的部分上的场致发射材料和金属。由此,场致发射器的寿命和场致发射特性得到极大改善,并且制造出具有优异特性的大面积场致发射器。 | ||
搜索关键词: | 制造 发射器 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造场致发射器的方法,该方法包括:在基板上形成图案化的导电层;用场致发射材料和金属粉末的混合物涂覆所述导电层的上表面,并热处理该混合物从而改善该混合物对所述导电层的附着力;以及除去沉积在除所述导电层以外的部分上的场致发射材料和金属。
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