[发明专利]磁阻器件无效
| 申请号： | 200510006413.1 | 申请日： | 2005-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN1649028A | 公开（公告）日： | 2005-08-03 |
| 发明（设计）人： | 金泰完;金起园;权纯宙;朴祥珍 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11B5/39;G01R33/09;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一磁阻器件，其中，依次形成了一钉扎层、一被钉扎层、一反铁磁层和一自由层，并且，所述自由层是由金属间化合物形成的。所述磁阻器件提供了高MR比，因而，提高了灵敏度裕量。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 器件 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻器件，其中，依次形成了一钉扎层、一被钉扎层、一非磁性层和一自由层，并且，所述自由层是由一金属间化合物形成的。
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