[发明专利]具有带多重下层的反铁磁耦合磁性层的磁记录盘无效
| 申请号： | 200510006442.8 | 申请日： | 2005-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN1661686A | 公开（公告）日： | 2005-08-31 |
| 发明（设计）人： | 霍亚·V·多;埃里克·E·富勒顿;戴维·马古利斯;安德烈亚斯·莫泽 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;C22C38/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种磁记录层，具有反铁磁耦合(AFC)结构，其具有三层下铁磁层(LL1、LL2、LL3)和上铁磁层(UL)，所有的四层铁磁层跨过相应的反铁磁耦合层反铁磁耦合在一起。UL具有比三层下层LL1、LL2、LL3每一个的剩磁厚度积(Mrt)大且比LL1和LL3的Mrt值之和大的Mrt。中间下层LL2的Mrt小于其它下层LL1和LL3中每一个的Mrt，结果该AFC结构的合成Mrt的结果小于仅具有单个下层的传统AFC结构的合成Mrt。该AFC结构实现了这种合成Mrt的减小而不增大三层下层中任何一个的Mrt超过传统AFC结构中单个下层的最大Mrt。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多重 下层 反铁磁 耦合 磁性 记录 | ||
【主权项】：
1.一种磁记录盘，包括：基板；第一下铁磁层，在该基板上且具有剩磁Mr、厚度t、剩磁厚度积Mrt；第一反铁磁耦合层，在该第一下铁磁层上；第二下铁磁层，在该第一反铁磁耦合层上，且具有小于该第一下铁磁层的Mrt的Mrt；第二反铁磁耦合层，在该第二下铁磁层上；第三下铁磁层，在该第二反铁磁耦合层上，且具有大于该第二下铁磁层的Mrt的Mrt；第三反铁磁耦合层，在该第三下铁磁层上；以及上铁磁层，在该第三反铁磁耦合层上，且具有大于该第一和第三下铁磁层的Mrt值之和的Mrt。
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