[发明专利]基于晶体管栅极氧化物击穿的组合现场可编程门阵列

摘要

披露了一种单元，该单元可以用作用于存储数据的动态存储器单元或用于编程的现场可编程门阵列(FPGA)单元。该单元包括：具有于列位线连接的第一端和与开关控制节点连接的第二端的电容器。选择晶体管具有与读位线连接的栅极、与开关控制节点连接的源极和与行字线连接的漏极。开关控制节点将数据存储为指示一或者零的电压。

主权项

1.一种单元，这种单元可用作用于存储数据的动态存储器单元或者用于编程的现场可编程门阵列(FPGA)单元，该单元用于具有列位线、读位线和行字线的阵列中，该单元包括：具有第一端和第二端的电容器，所述第一端连接到列位线，所述第二端连接到开关控制节点；具有栅极、源极和漏极的选择晶体管，所述栅极连接到所述写位线，所述源极连接到所述开关控制节点，所述漏极连接到行字线；和通过所述开关控制节点控制的开关，其中所述开关控制节点将数据存储作为指示一或者零的电压。