[发明专利]液晶显示装置有效
| 申请号： | 200510006489.4 | 申请日： | 2005-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN1632680A | 公开（公告）日： | 2005-06-29 |
| 发明（设计）人： | 丁进国 | 申请（专利权）人： | 广辉电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;G02F1/133 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种液晶显示装置，包括：第一N型LDD(LightlyDoped Drain；LDD)及第二N型LDD；其中，以一个栅电极为掩膜，通过倾斜注入的方式而形成该些N型LDD，且第一N型LDD及第二N型LDD分别与源极/漏极区相接。上述液晶显示装置更包括：第三P型LDD及第四P型LDD；同样地，以一个栅电极为掩膜，通过倾斜注入的方式而形成该些P型LDD。其中，第三P型LDD及第四P型LDD分别包围该源极/漏极区以及第一N型LDD和第二N型LDD。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶 显示装置 | ||
【主权项】：
1、一种液晶显示装置，包括：一个基板；一个缓冲层置于该基板上； 一个半导体层置于该缓冲层上；一个栅极绝缘层置于该半导体层上；一个栅电极置于该栅极绝缘层上；一个源极/漏极区，其形成方法是以该栅电极为掩膜，在该半导体层内注入第一掺杂物；第一低掺杂区，其形成方法是以该栅电极为掩膜，在第一角度的方向注入第二掺杂物到该半导体层内，其中该第一低掺杂区与该源极/漏极区的部份重叠；以及第二低掺杂区，其形成方法是以该栅电极为掩膜，在第二角度的方向注入第三掺杂物到该半导体层内，其中该第二低掺杂区与该源极/漏极区的部份重叠。
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