[发明专利]液晶显示装置的制造方法有效
| 申请号： | 200510006490.7 | 申请日： | 2005-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN1632681A | 公开（公告）日： | 2005-06-29 |
| 发明（设计）人： | 丁进国 | 申请（专利权）人： | 广辉电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;G02F1/133;H01L21/027 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种制造液晶显示装置的方法，包括下列步骤。以一个栅电极为掩膜，通过倾斜注入的方式而形成第一N型LDD(Lightly Doped Drain；LDD)及第二N型LDD到半导体层内。上述第一N型LDD及第二N型LDD分别与源极/漏极区相接。此外，同样地以一个栅电极为掩膜，通过倾斜注入的方式而形成第三P型LDD及第四P型LDD到半导体层内。上述第三P型LDD及第四P型LDD分别与源极/漏极区以及上述第一N型LDD和第二N型LDD相接。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种液晶显示装置的制造方法，包括：提供一个基板；在该基板上形成一个缓冲层；在该缓冲层上形成一半导体层；在该半导体层上形成一个栅极绝缘层；在该栅极绝缘层上形成一个栅极电极；以该栅电极为掩膜，注入第一掺杂物到该半导体层内，以形成源极/漏极区；以该栅极电极为掩膜，在第一角度的方向注入第二掺杂物到该半导体层内，以形成与该源极/漏极区的部份重叠的第一低掺杂区；以及以该栅电极为掩膜，在第二角度的方向注入第三掺杂物到该半导体层内，以形成与该源极/漏极区的部份重叠的第二低掺杂区。
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