[发明专利]一种高功率因素高频直流电源无效
申请号: | 200510006520.4 | 申请日: | 2005-01-19 |
公开(公告)号: | CN1808868A | 公开(公告)日: | 2006-07-26 |
发明(设计)人: | 林福泳 | 申请(专利权)人: | 林福泳;林福祥 |
主分类号: | H02M3/28 | 分类号: | H02M3/28 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 362011福*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 高功率因素高频直流电源,由整流硅桥和高频直流转换器组成。整流电路是整流硅桥输入端接交流电源,其输出将交流变为波动直流电压。高频直流转换器由初级线路和次级线路组成。次级线路一整流虑波线路,可以是单电压输出或多电压输出。初级线路由三部分组成。一是高频转换线路——由高频变压器初级线圈,主开关管。二是提速线路——由电容、快速二极管组成。三波形校正、电压钳位及继流电路——由电容C2、C3、C4,二级管D2、D3,D4,D5组成。其中电容C2起波形校正作用,二极管D5和电容C3和C4起电压钳位作用,电容C3和C4又与辅助开关管一起起继流作用。 | ||
搜索关键词: | 一种 功率 因素 高频 直流电源 | ||
【主权项】:
1、一高功率因素直流电源由下列组成:(1)、整流硅桥其输入端接交流电源,输出波动直流电压。(2)、第一个电容C1并接在整流硅桥的输出端。(3)、第一个二极管D1,它的阳极接整流硅桥的输出的正极端,阴极接高频变压器的初级线圈。(4)、高频变压器T,它的初级线圈一端接第一个二极管D1的阴极,初级线圈的另一端接第二个开关管(主开关管)Q2。(5)第二个开关管(主开关管)Q2,它的一端与高频变压器的初级线圈连接,另一端与整流硅桥的负极相连。(6)、第五个二极管D5,它的阳极接在高频变压器初级线圈和第二开关管(主开关管)Q2的连接处。它的阴极与第一个开关管(辅助开关管)相连。(7)、第一开关管(辅助开关管)Q1,它的一端接在第一个二极管D1的阴极和高频变压器的初级连接处,它的另一端与第五个二极管D5的阴极相连。(8)第二个电容C2,它的一端接整流硅极的负极输出端,另一端接第一开关管与第五个二极管D5的连接处。(9)第三个电容C3,、它的正极端接第五个二极管与第一个开关管的连接处,它的负极与第三个二极管D3、第二个二极管D2的阳极相连。(10)第三个二极管D3,它的阳极与整流硅桥输出负极相连。它的阴极与第三个电容的负极端相连。(11)第二个二极管D2,它的阳极与第三个电容C3的负极相连。它的阴极与第四电容正极端、第四个二极管D4的阳极相连。(11)第四个电容C4,它的正极端接第二个二极管D2的阴极相连,它的负极与整流硅侨输出负极相连。(13)、)第四个二极管D4,它的阳极与第四个电容C4的正极相连。它的阴极与接在第五个二极管的阴极与第一开关管的连接处。其线路连接如下:整流硅桥接R输出并接电容C1后正极端接二极管D1的阳极,二极管D1的阳极接高频变压器T的初级线圈一端,高频变压器T的初级线圈另一端与主开关管Q2 的一端相连,主开关管Q2的另一端与整流硅侨R的输出负极相连。辅助开关管Q1一端接二极管D1与高频变压器T相连处,另一端与电容C2正极相连,电容C2的负的极接整流硅侨R的输出负极相连。电容C3正极接辅助开关管Q1与电容C2的连接处,负极与二极管D3 的阴极、二极管的阳极D2相连。二极管D3的阳极与整流硅侨输出端负极相连。二极管D2 的阴极与电容C4的正极、二极管D4的阳极相连,电容C4的负极接整流硅侨R的输出负极。二极管D4的阴极接辅助开关管Q1与电容C2的连接处。二极管D5的阳极与高频变压器T的初级线圈与主开关管的连接处,阴极接辅助开关管Q1与电容C2的连接处。高频变压器T的次级线路是一个整流滤波线路,可以是单电压,也可以是多电压的输出整流滤波线路。主开关管、辅助开关管可以是场效应管,三极管、IGBT等开关管,辅助开关管可以是场效应管、三级管、IGBT等开关管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于林福泳;林福祥,未经林福泳;林福祥许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510006520.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。