[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200510006565.1 | 申请日： | 2005-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN1661792A | 公开（公告）日： | 2005-08-31 |
| 发明（设计）人： | 大塚英树;青木则茂;今井伸一 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，在衬底上的绝缘膜形成布线沟后，以在绝缘膜上将布线沟埋起的方式形成铜膜。接着，研磨存在于布线沟外部的铜膜部分形成布线后，对衬底进行清洗处理。其后，在真空状态下除去露出在布线之间的绝缘膜部分附近的残留水分。这样，通过除去对铜膜进行化学机械研磨后残留在绝缘膜上的水分，便防止铜迁移到绝缘膜上，并防止布线之间的短路。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：在衬底上的绝缘膜形成布线沟的工序；在所述绝缘膜上以埋入所述布线沟的方式形成铜膜的工序；研磨存在于所述铜膜的所述布线沟外部的部分，形成布线的工序；对形成所述布线后的所述衬底进行清洗处理的工序；以及所述清洗处理后，除去残留在所述绝缘膜露出在所述布线之间的部分附近的水分的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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