[发明专利]一种半导体器件无效
申请号: | 200510006692.1 | 申请日: | 2005-01-27 |
公开(公告)号: | CN1812097A | 公开(公告)日: | 2006-08-02 |
发明(设计)人: | 杨越培 | 申请(专利权)人: | 杨越培 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/58 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 312016浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 一种半导体器件,它由功率晶体管T1,控制晶体管T2,恒流元件CRD及半导体热敏电阻Rt构成。半导体热敏电阻Rt与恒流元件CRD相互串联并通过功率晶体管T1的输出端引入外电源,它们的连接端与控制晶体管T2的控制端相连,控制晶体管T2的两个输出端分别与功率晶体管T1的控制端及地端相连。当功率晶体管T1由于某种应用导致器件温度上升到极限值的过程中,半导体热敏电阻Rt的阻值也随之上升,同时恒流元件CRD的电流仍保持基本不变,使控制晶体管T2输入端的电位上升直至导通,最终使功率晶体管T1的控制端电位降低,亦即降低了功率晶体管T1的输出功率,从而避免了功率晶体管T1的损坏。在控制晶体管T2没有导通时,功率晶体管T1的工作状态不受其它元件的影响。因此,本半导体器件是一种具备了过热自动保护功能的功率半导体器件。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,其特征是具备:一半导体功率晶体管T1,一场效应控制晶体管T2,一半导体热敏电阻Rt,一晶体管场效应管连接而成的恒流元件CRD。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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