[发明专利]一种半导体器件无效

专利信息
申请号: 200510006692.1 申请日: 2005-01-27
公开(公告)号: CN1812097A 公开(公告)日: 2006-08-02
发明(设计)人: 杨越培 申请(专利权)人: 杨越培
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L23/58
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 312016浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 一种半导体器件,它由功率晶体管T1,控制晶体管T2,恒流元件CRD及半导体热敏电阻Rt构成。半导体热敏电阻Rt与恒流元件CRD相互串联并通过功率晶体管T1的输出端引入外电源,它们的连接端与控制晶体管T2的控制端相连,控制晶体管T2的两个输出端分别与功率晶体管T1的控制端及地端相连。当功率晶体管T1由于某种应用导致器件温度上升到极限值的过程中,半导体热敏电阻Rt的阻值也随之上升,同时恒流元件CRD的电流仍保持基本不变,使控制晶体管T2输入端的电位上升直至导通,最终使功率晶体管T1的控制端电位降低,亦即降低了功率晶体管T1的输出功率,从而避免了功率晶体管T1的损坏。在控制晶体管T2没有导通时,功率晶体管T1的工作状态不受其它元件的影响。因此,本半导体器件是一种具备了过热自动保护功能的功率半导体器件。
搜索关键词: 一种 半导体器件
【主权项】:
1.一种半导体器件,其特征是具备:一半导体功率晶体管T1,一场效应控制晶体管T2,一半导体热敏电阻Rt,一晶体管场效应管连接而成的恒流元件CRD。
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