[发明专利]无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法无效
| 申请号： | 200510006769.5 | 申请日： | 2005-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN1815213A | 公开（公告）日： | 2006-08-09 |
| 发明（设计）人： | 赵建华;蒋春萍;郑厚植;邓加军;杨富华;牛智川;吴晓光 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G01N27/14 | 分类号： | G01N27/14;G01N27/00;G01N25/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种通过测量输运性质确定稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将镓锰砷样品刻蚀成霍尔元件形状，采用铟压焊技术制作电极，该电极与恒流源和电压表连接；步骤2：将步骤1所述的霍尔元件放入闭循环制冷系统中；步骤3：测量霍尔元件切向电阻与温度的关系曲线，确定镓锰砷导电特征从绝缘性转变到金属性的相变温度，从而确定镓锰砷薄膜的铁磁转变温度。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 测量 半导体 镓锰砷铁磁 转变 温度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通过测量输运性质确定稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将镓锰砷样品刻蚀成霍尔元件形状，采用铟压焊技术制作电极，该电极与恒流源和电压表连接；步骤2：将步骤1所述的霍尔元件放入闭循环制冷系统中；步骤3：测量霍尔元件切向电阻与温度的关系曲线，确定镓锰砷导电特征从绝缘性转变到金属性的相变温度，从而确定镓锰砷薄膜的铁磁转变温度。
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