[发明专利]半导体器件无效

专利信息
申请号: 200510006825.5 申请日: 2005-01-28
公开(公告)号: CN1649098A 公开(公告)日: 2005-08-03
发明(设计)人: 平野尚彦;真光邦明 申请(专利权)人: 株式会社电装
主分类号: H01L21/28 分类号: H01L21/28;H01L21/44;H01L21/60;H01L23/34;H01L25/07
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 邹光新;梁永
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 半导体器件(S1)包括半导体元件(11、12)、用第一焊料部分(51)粘附到半导体元件(11、12)的第一面上的第一金属体(20)、用第二焊料部分(52)粘附到半导体元件(11、12)的第二面上的第二金属体(30)、以及通过封装半导体元件(11、12)、第一金属体(20)和第二金属体(30)而对其密封的树脂模(60)。在具有作为元件设置表面的第二面的半导体器件(S1)中,在半导体元件(11、12)的焊接部分中,第一焊料部分(51)处由热应力引起的应变测量最大。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:半导体元件(11、12);用第一焊料部分(51)粘附到半导体元件(11、12)的第一面上的第一金属体(20),其中第一金属体(20)作为电极和散热体;用第二焊料部分(52)粘附到半导体元件(11、12)的第二面上的第二金属体(30),其中第二金属体(30)同样作为电极和散热体,其中半导体元件的第二面与第一面相对,并作为元件设置表面;以及通过封装半导体元件(11、12)、第一金属体和第二金属体而对其密封的树脂模(60),其中在半导体元件(11、12)的焊接部分(51,52)中,第一焊料部分(51)处由热应力引起的应变测量最大。
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