[发明专利]半导体存储装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200510006826.X | 申请日： | 2005-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN1649158A | 公开（公告）日： | 2005-08-03 |
| 发明（设计）人： | 横山敬;谷上拓司 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;G11C11/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 徐谦;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 将由可变电阻元件(Rc)的一端与双极晶体管(Qc)的发射极或集电极之一通过自匹配连接所构成的存储单元(Mc)分别在行方向和列方向排列为多个矩阵，同一列的各存储单元的双极晶体管(Qc)的发射极或集电极中的另外一个连接到在列方向上延伸的公共源极线(S1、S2)，同一行的各存储单元的双极晶体管(Qc)的基极连接到在行方向上延伸的公共字线(W1、W2)，同一列的各存储单元的可变电阻元件(Rc)的另外一端连接到在列方向上延伸的公共位线(B1、B2)，由此构成的存储阵列配置于半导体衬底上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置的存储单元，具备由可变电阻元件及可对流向上述可变电阻元件的电流进行双向控制的由双极晶体管构成的选择晶体管。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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