[发明专利]在真空状态下封装MEMS装置的方法以及用该方法生产的装置无效

专利信息
申请号: 200510006957.8 申请日: 2005-01-13
公开(公告)号: CN1683234A 公开(公告)日: 2005-10-19
发明(设计)人: 李浩荣;金龙协;成宇镛;金曰濬;延淳昌 申请(专利权)人: 财团法人汉城大学校产学协力财团
主分类号: B81C5/00 分类号: B81C5/00;G01C19/00
代理公司: 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 代理人: 郭伟刚
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明提供了一种利用O型圈来真空封装MEMS装置的方法,以及通过该方法所制造的真空封装的MEMS装置。该方法包括制备包括有空腔的上部衬底和包括有MEMS装置的下部衬底并将上部和下部衬底装载到真空室中;通过将O型圈安装到下部衬底的MEMS装置的边缘部分上来使下部和上部衬底对准;通过在上部和下部衬底之间施加压力而使O型圈被压在上部和下部衬底之间;对真空室进行排气;以及移除被施加在上部和下部衬底之间的压力。在该方法中,可采用简单的工艺来真空封装MEMS装置而不会从上部衬底的空腔产生放气和泄漏。
搜索关键词: 真空 状态 封装 mems 装置 方法 以及 生产
【主权项】:
1.一种在真空下封装微电子机械系统装置的方法,其特征在于,所述方法包括:制备包括有空腔的上部衬底和包括有微电子机械系统装置的下部衬底,并将所述上部和下部衬底装载到真空室中;通过将O型圈安装到所述下部衬底的微电子机械系统装置的边缘部分来使所述上部和下部衬底对准;通过在所述上部和下部衬底之间施加压力而使所述O型圈被压在所述上部和下部衬底之间;对所述真空室进行排气;和移除被施加在所述上部和下部衬底之间的压力。
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