[发明专利]具有过电流保护功能的垂直型功率金属氧化物半导体器件无效
| 申请号： | 200510007022.1 | 申请日： | 2005-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN1652457A | 公开（公告）日： | 2005-08-10 |
| 发明（设计）人： | 新井高雄 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/52 | 分类号： | H03F1/52;H01L27/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆弋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在一种垂直型功率金属氧化物半导体器件中，该半导体器件包括半导体衬底(112)和在所述的半导体衬底上形成和布置的多个晶体管单元(142H、142L)，使得彼此并联地电连接，将晶体管单元分成至少两组，第一组晶体管单元(142H)的特征是栅极－阈值电压比第二组晶体管(142L)的栅极－阈值电压高。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电流 保护 功能 垂直 功率 金属 氧化物 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种垂直型功率金属氧化物半导体器件，包括：半导体衬底(112)；和在所述的半导体衬底上形成和布置的多个晶体管单元(142H、142L)，使得彼此并联地电连接，其中将所述的晶体管单元分成至少两组，第一组晶体管单元(142H)的特征是栅极-阈值电压比第二组晶体管单元(142L)的栅极-阈值电压高。
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