[发明专利]逆极性电压发生电路

摘要

在P型半导体基板(50)的表面上，形成第1及第2电荷传送用MOS晶体管(TR11)、(TR12)，第1及第2驱动用MOS晶体管(TR13)、(TR14)。(TR11)、(TR13)、(TR14)为P沟道型，分别形成于P型半导体基板表面上形成的第1、第2及第3N井(51)、(58)、(62)内。(TR12)为N沟道型，形成于P型半导体基板(50)的表面上。给(TR13)的源极上施加电源电压VH，并从(TR12)的漏极中产生反转后的电压－VH。从而提供一种逆极性电压发生电路，该电路能在P型半导体基板上形成，而且防止构成该电路的MOS晶体管的漏电电流，使其动作稳定化。

主权项

1.一种逆极性电压发生电路，具有：源极接地的第1电荷传送用MOS晶体管；源极与所述第1电荷传送用MOS晶体管的漏极相连接的第2电荷传送用MOS晶体管；源极上供给有电源电压VH的第1驱动用MOS晶体管；源极与所述第1驱动用MOS晶体管的漏极相连、漏极接地的第2驱动用MOS晶体管；一端端子与所述第1及第2电荷传送用MOS晶体管的连接点相连、另一端端子与所述第1及第2驱动用MOS晶体管的连接点相连的电容元件；以及，对所述第1及第2电荷传送用MOS晶体管、还有所述第1及第2驱动用MOS晶体管的导通关断进行控制的控制电路，并从所述第2电荷传送用MOS晶体管的漏极中、输出将所述电源电压VH的极性反转后的反转电源电压-VH，其特征在于：所述第1电荷传送用MOS晶体管、所述第1及第2驱动用MOS晶体管用P沟道型形成；所述第2电荷传送用MOS晶体管用N沟道型形成，且所述第2电荷传送用MOS晶体管形成在P型半导体基板上；所述第1电荷传送用MOS晶体管形成于：所述P型半导体基板表面上形成的第1N井内，并且其源极与连接到该第1N井上；所述第1驱动用MOS晶体管形成于：所述P型半导体基板表面上形成的第2N井内，并且其源极连接到该第2N井上；所述第2驱动用MOS晶体管形成于：所述P型半导体基板表面上形成的第3N井内，并且其源极连接到该第3N井上。