[发明专利]半导体器件无效

专利信息
申请号: 200510007096.5 申请日: 2000-02-09
公开(公告)号: CN1652252A 公开(公告)日: 2005-08-10
发明(设计)人: 竹村理一朗;伊藤清男;关口知纪;阪田健;木村胜高 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所
主分类号: G11C11/4091 分类号: G11C11/4091;G11C7/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王永刚
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 即便存储器阵列的电压低,读出放大器也能够高速地从存储单元读出弱信号而电力消耗很小。将用于过激励的驱动开关分散地配置在读出放大器区域内,并将用于恢复的驱动开关集中地配置在读出放大器阵列的一端。通过网状电源线供给过激励电位。每个过激励开关最初从具有比数据线的振幅电压高的电压的数据线对读出数据,实现高速读出。通过分散地配置驱动开关,能够分散读出电流并减小一端与另一端之间的读出电压差。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
1.半导体器件,其特征是它具有:多条字线、多条数据线和多个DRAM存储单元;与上述多条数据线耦合的多个读出放大器,各读出放大器从第1节点和第2节点接收工作电压;与上述第1节点连接的第1配线;与上述第2节点连接的第2配线;将上述第1配线耦合于第1电位的第1驱动器;以及将上述第2配线耦合于第2电位的第2驱动器;其中,上述第1驱动器在第1工作模式中以第1阻抗在上述第1电位和上述第1配线之间建立连接,在第2工作模式中以比上述第1阻抗大的第2阻抗在上述第1电位和上述第1配线之间建立连接,上述第2驱动器在上述第1工作模式中以第3阻抗在上述第2电位和上述第2配线之间建立连接,在上述第2工作模式中以比上述第3阻抗大的第4阻抗在上述第2电位和上述第2配线之间建立连接,其中,从行激活指令到经过第1时间之后,发生上述第1工作模式到上述第2工作模式的改变。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立制作所,未经株式会社日立制作所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510007096.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top