[发明专利]一种薄膜晶体管的制造方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，此方法利用激光回火进行热处理，使上述岛状非晶硅图案转变成为一复晶硅岛状图案，并同时活性化上述离子掺杂区域的离子，再在上述复晶硅岛状图案上形成一钝化层，接着，选择性刻蚀上述钝化层，以形成一露出上述离子掺杂区域的开口。然后，形成一填入上述开口的金属层，以形成源极/漏极电极。最后，本发明形成源极/漏极电极之后才进行氢离子处理，以减少复晶硅之中的悬键。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于包括：在一基板上方形成一非晶硅层，该非晶硅层之中含有第一浓度的氢原子；进行第一次热处理，使该非晶硅层之中含有第二浓度的氢原子，该第二浓度小于该第一浓度；图案化该非晶硅层，以形成一岛状非晶硅图案；在该岛状非晶硅图案上覆盖一绝缘层；在该绝缘层上形成一栅极电极；以该栅极电极为光掩膜，且植入离子于该岛状非晶硅图案，以在该岛状非晶硅图案内形成离子掺杂区域；利用激光回火进行第二次热处理，使该岛状非晶硅图案转变成为一复晶硅岛状图案，并同时活性化该离子掺杂区域之离子；在所述复晶硅岛状图案上形成一钝化层；选择性刻蚀该钝化层，以形成一露出该离子掺杂区域的开口；以及形成一填入该开口的金属层，以形成源极/漏极电极。