[发明专利]控制电压位准的电路、偏压侦测电路以及补偿方法有效
| 申请号： | 200510007328.7 | 申请日： | 2005-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN1734666A | 公开（公告）日： | 2006-02-15 |
| 发明（设计）人： | 邹宗成 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401;G11C11/4063;G11C11/407;G11C11/4074 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是一种控制电压位准的电路、偏压侦测电路以及补偿方法，所述控制电压位准的电路，其包括第一PMOS晶体管、MOS次门坎电流源以及第一不随偏压改变电流源。第一PMOS晶体管耦接第一电压耦合器，第一PMOS晶体管的栅极与漏极彼此耦接。MOS次门坎电流源耦接第二电压耦合器。第一不随偏压改变电流源耦接于MOS次门坎电流源与第一PMOS晶体管之间。本发明于制程、电压及温度变化的不同环境下，可产生预期字符线电压位准的电路。此允许字符线电压位准不仅只对温度反应。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 电压 电路 偏压 侦测 以及 补偿 方法 | ||
【主权项】：
1、一种控制电压位准的电路，其特征在于所述控制电压位准的电路包括：一第一PMOS晶体管，耦接一第一电压耦合器，该第一PMOS晶体管的栅极与漏极彼此耦接；一MOS次门坎电流源，耦接一第二电压耦合器；以及一第一不随偏压改变电流源，耦接于该MOS次门坎电流源与该第一PMOS晶体管之间。
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