[发明专利]用于氮化物基半导体装置的低掺杂层无效
| 申请号： | 200510007598.8 | 申请日： | 2005-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN1658371A | 公开（公告）日： | 2005-08-24 |
| 发明（设计）人： | 米兰·波夫里斯蒂克;米歇尔·墨菲;理查德·A·斯托;布里安·S·谢尔顿;刘林林;亚历克斯·D·塞鲁奇 | 申请（专利权）人： | 昂科公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/329;H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;刘国伟 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种通过使用调节掺杂在另一层的顶上形成掺杂与未掺杂的氮化物半导体材料交替式子层(alternating sub－layer)而形成的可重复的和均匀的低掺杂层。由安置于一个更高掺杂的氮化物半导体层的顶上的该种低掺杂氮化物半导体层形成一肖特基二极管。所得装置具有受正向偏压时的低导通电阻及受反向偏压时的高击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 氮化物 半导体 装置 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种形成一半导体层结构的方法，所述方法包含：在另一层的至少一部分上形成一调节掺杂层，该调节掺杂层是通过在所述另一层的该至少一部分上形成掺杂氮化物半导体的至少一子层及未掺杂氮化物半导体的至少一子层形成的，藉此所述调节掺杂层具有一最大为2E16cm-3的掺杂浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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