[发明专利]移位寄存器和MOS型固态摄像传感器无效

专利信息
申请号: 200510007828.0 申请日: 2005-01-28
公开(公告)号: CN1649033A 公开(公告)日: 2005-08-03
发明(设计)人: 村上雅史;松长诚之;桝山雅之 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: G11C19/28 分类号: G11C19/28;H04N5/335
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 王英
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的是提供一种移位寄存器,在该移位寄存器中,防止由于第一晶体管与第二晶体管之间的部分处于高阻抗状态而引起的故障。本发明的移位寄存器包括用于存储从在前区的单元电路1输出的数据的电容器装置5。第一晶体管3仅当数据被存储在电容器装置5中时被开启。第二晶体管7包括连接到第一晶体管3的输出侧扩散层的控制电极和输入侧扩散层,并且仅当将来自于第一晶体管3的时钟信号的脉冲输入到控制电极和输入侧扩散层时被开启。电势控制装置2使第二晶体管至少在其中第二晶体管7应是关闭的期间保持关闭。
搜索关键词: 移位寄存器 mos 固态 摄像 传感器
【主权项】:
1、一种移位寄存器,包括多个单元电路区,用于根据具有脉冲的时钟信号在一个方向上传输数据,每一单元电路包括:电容器装置,用于存储从沿数据传输方向是处于上游的单元电路输出的数据;第一晶体管,包括输入侧扩散层和输出侧扩散层,其中,所述第一晶体管经由输入侧扩散层接收时钟信号,并且仅在将数据存储在电容器装置中时,第一晶体管被开启,以便经由输出侧扩散层输出时钟信号脉冲;第二晶体管,包括控制电极、输入侧扩散层和输出侧扩散层,其中所述控制电极和所述输入侧扩散层连接到第一晶体管的输出侧扩散层,且仅在将来自于第一晶体管的时钟信号脉冲输入到所述控制电极和所述输入侧扩散层时,第二晶体管被开启,以便经由所述输出侧扩散层将数据输出到沿数据传输方向是处于下游的单元电路;以及电势控制装置,用于将第二晶体管的控制电极的电势控制为如此电势,使得至少在第二晶体管应是关闭的期间,第二晶体管保持关闭。
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