[发明专利]直通晶片的互连的导电接合有效
| 申请号： | 200510007914.1 | 申请日： | 2005-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN1652302A | 公开（公告）日： | 2005-08-10 |
| 发明（设计）人： | 苏珊·A·阿利;布鲁斯·K·瓦赫特曼;劳伦斯·E·费尔顿;尹彰汉 | 申请（专利权）人： | 模拟设备公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/44;H01L21/768;H01L21/60;H01L25/00;B81C5/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;关兆辉 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明通过下面步骤产生用于直通晶片互连的导电接合：从在第一晶片前侧上的元件到第一晶片的后侧形成通过第一晶片的电极；形成第一导电界面并与在第一晶片后侧上的电极的暴露部分接触；以及在低于至少一个导电界面的熔点的温度下，在压力下导电接合第一导电界面和在第二晶片上的第二导电界面。该处理温度通常低于导电界面的熔点。在一些实施例中，可以通过在真空中执行导电接合来促进或启用导电接合。 | ||
| 搜索关键词： | 直通 晶片 互连 导电 接合 | ||
【主权项】：
1.一种用于电性互连晶片装置的方法，该方法包括：从在第一晶片前侧上的元件到第一晶片的后侧形成通过第一晶片的电极；形成第一导电界面并与在第一晶片后侧上的电极的暴露部分接触；以及在低于至少一个导电界面的熔点的温度下，在压力下导电接合第一导电界面和在第二晶片上的第二导电界面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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