[发明专利]单元晶体管的制造方法无效
| 申请号： | 200510008026.1 | 申请日： | 2005-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN1716562A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 郑泰旿 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/8242;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种与高集成度的DRAM存储器单元有关的单元晶体管的制造方法，该方法改善了单元晶体管的短沟道效应，同时改进了所述晶体管的刷新特性，还能够防止晶体管阈值电压的下降。该方法包括以下步骤：在硅衬底上形成界定器件分离区的器件隔离区；在形成有器件隔离区的衬底上形成阻挡层；在形成有阻挡层的衬底上形成界定栅极形成区的硬掩模；通过构成衬底表面的硅的选择性外延生长，在形成有硬掩模和阻挡层的衬底的表面上形成硅外延层；以及，去除硬掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 单元 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单元晶体管的制造方法，包括下列步骤：a)在硅衬底上形成器件隔离区；b)在形成有器件隔离区的所述衬底上形成阻挡层；c)在形成有所述阻挡层的所述衬底上形成界定栅极形成区的硬掩模；d)通过构成所述衬底的表面的硅的选择性外延生长，在形成有所述硬掩模和所述阻挡层的衬底的表面上形成硅外延层；以及e)去除所述硬掩模。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
